Високоточний спектроскопічний еліпсометр | Система неруйнівного вимірювання товщини тонких плівок та показника заломлення

Застосування

Ця система широко застосовується у виробництві напівпровідників, оптичних покриттях, плоских дисплеях, розробці фотоелектричних (сонячних) елементів, дослідженнях у галузі матеріалознавства та біосенсориці.

Чому варто обрати наше рішення

Як професійний виробник із потужним дослідницьким та розробницьким потенціалом, ми пропонуємо пряме ціноутворення від заводу, налаштовувані конфігурації та спеціалізовану технічну підтримку. Незалежно від того, чи потрібна вам настільна система для лабораторного аналізу, чи вбудоване рішення для моніторингу виробництва, ми можемо адаптувати прилад до ваших конкретних потреб у вимірюваннях.

Запит цінової пропозиції

Зв'яжіться з нами сьогодні, щоб обговорити вашу заявку або запросити цінову пропозицію. Наша команда надає безкоштовні технічні консультації, щоб допомогти вам вибрати оптимальне рішення для вимірювання тонких плівок.

Основні технічні параметри

1. Можливості вимірювання: матричні елементи Мюллера 16-го порядку, спектр поляризації Psi/Delta, показник заломлення, товщина, двопроменезаломлення та діелектрична проникність тощо.

2. Спектральний діапазон: 210 нм-1690 нм

3. Відстань між довжинами хвиль: ≤0,8 нм при 210-1000 нм, ≤3,5 нм при 1000-1690 нм

4. Час вимірювання в одній точці: ≤10 с

5. Розмір мікроплями: ≤200 мкм

6. Технологія модуляції: модуляція системи подвійного обертового компенсатора PCSCA

7. Автоматичний столик для зразка: автоматичне фокусування по осі Z, максимальний хід 18 мм, мінімальний крок 1 мкм

8. Точність повторюваності товщини плівки: ≤0,005 нм (100 нм SiO2/Si, 30 повторних вимірювань, розраховано як 1σ)

9. Точність повторюваності показника заломлення: ≤0,0002 (100 нм SiO2/Si, 30 повторних вимірювань, розраховано як 1σ)

10. Абсолютна точність товщини плівки: ≤0,5% (100 нм SiO2/Si, надано звіт третьої сторони про метрологію)

11. Функція картографування: використовує високоточну автоматичну сканувальну платформу типу x/y, підтримує автоматичне позиціонування та вимірювання сканування підкладок розміром 2/4/6/8 дюймів, точність повторюваності ≤6 мкм, генерація 2D/3D карт розподілу товщини плівки одним клацанням миші.

12. Лазерне визначення довжини та фокусування: автоматичне позиціонування фокусної відстані за допомогою оптичного шляху лазерного відбиття, хід фокусування ≤3 мм

13. Модель різниці: Автоматично розраховує дані різниці psi-різниці та дельта-різниці

14. Програмне забезпечення для аналізу: має щонайменше 5 різних режимів вимірювання, вбудовану базу даних n/k для понад 100 оптичних матеріалів та підтримує створення власних баз даних; має можливості тестування та моделювання аналізу для одношарових, багатошарових (до 30 шарів) та композитних тонких плівок зі змінним розташуванням шарів, включаючи моделі Коші, Селлмейєра, Таука-Лоренца, Bspline та Oscillator, а також підтримує ліцензування програмного забезпечення в автономному режимі.

Технічні характеристики

I. Вступ до обладнання

Спектроеліпсометр ME-Mapping використовує технологію модуляції з компенсатором подвійного обертання в поєднанні з високоточними алгоритмами аналізу даних. Він може отримати всі 16 елементів повного спектру матриці Мюллера та поляризації за одне вимірювання, що дозволяє проводити швидкі та неруйнівні вимірювання зразків. Прилад може похвалитися стабільною конструкцією оптичного шляху та використовує напівпровідниковий охолоджувальний детектор, що дозволяє отримувати сигнали інтенсивності світла протягом кількох секунд. Він пропонує вищу швидкість вимірювання та вищу точність, підтримуючи точне вимірювання таких параметрів, як товщина, показник заломлення, коефіцієнт екстинкції та оптична діелектрична проникність для різних тонкоплівкових матеріалів. Крім того, його можна налаштувати за допомогою "платформ повторюваного позиціонування пластин" різного розміру для багатоточкових картографічних скануючих вимірювань різних зразків великого розміру.