Φασματοσκοπικό ελλειψόμετρο υψηλής ακρίβειας | Μη καταστροφικό σύστημα μέτρησης πάχους λεπτής μεμβράνης και δείκτη διάθλασης
Οδηγίες παραγγελίας
Λόγω της ιδιαίτερης φύσης του προϊόντος, η τιμή που εμφανίζεται στη σελίδα είναι μια τιμή προκαταβολής και όχι η πραγματική τιμή. Επικοινωνήστε με την εξυπηρέτηση πελατών για μια προσφορά.
Οι παραγγελίες που πραγματοποιούνται απευθείας χωρίς προηγούμενη επικοινωνία δεν μπορούν να αποσταλούν! Σας ευχαριστούμε για τη συνεργασία σας! Για περισσότερες πληροφορίες σχετικά με τα προϊόντα, επικοινωνήστε με την εξυπηρέτηση πελατών για να λάβετε φυλλάδια προϊόντων.
Βασικές μετρήσεις
Πάχος μεμβράνης (από μία έως πολλαπλή στρώση)
Δείκτης διάθλασης (n) και συντελεστής απόσβεσης (k)
Οπτικό Ζωνικό Χάσμα (Π.χ.)
Τραχύτητα επιφάνειας
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Ευρύ φάσμα φάσματος: Κάλυψη UV έως NIR για ευέλικτη ανάλυση υλικών
Υψηλή ευαισθησία: Δυνατότητα μέτρησης εξαιρετικά λεπτών μεμβρανών σε κλίμακα υπο-νανομέτρων
Χωρίς επαφή και μη καταστροφικό: Ιδανικό για ευαίσθητα δείγματα σε περιβάλλοντα έρευνας και ανάπτυξης και παραγωγής
Προηγμένο Λογισμικό Μοντελοποίησης: Υποστηρίζει πολύπλοκη ανάλυση πολλαπλών επιπέδων στοίβας με φιλικές προς το χρήστη ροές εργασίας
Εφαρμογές
Αυτό το σύστημα υιοθετείται ευρέως στην κατασκευή ημιαγωγών, στην οπτική επίστρωση, στις επίπεδες οθόνες, στην ανάπτυξη φωτοβολταϊκών (ηλιακών κυψελών), στην έρευνα για την επιστήμη των υλικών και στη βιοανίχνευση.
Γιατί να επιλέξετε τη λύση μας
Ως επαγγελματίας κατασκευαστής με ισχυρές δυνατότητες Έρευνας και Ανάπτυξης, προσφέρουμε τιμές απευθείας από το εργοστάσιο, προσαρμόσιμες διαμορφώσεις και εξειδικευμένη τεχνική υποστήριξη. Είτε χρειάζεστε ένα επιτραπέζιο σύστημα για εργαστηριακή ανάλυση είτε μια ενσωματωμένη λύση για την παρακολούθηση της παραγωγής, μπορούμε να προσαρμόσουμε το όργανο στις συγκεκριμένες ανάγκες μέτρησης που έχετε.
Ζητήστε μια προσφορά
Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να συζητήσουμε την αίτησή σας ή να ζητήσετε μια προσφορά. Η ομάδα μας παρέχει δωρεάν τεχνικές συμβουλές για να σας βοηθήσει να επιλέξετε τη βέλτιστη λύση μέτρησης λεπτής μεμβράνης.
Κύριες τεχνικές παράμετροι
1. Δυνατότητες μέτρησης: Στοιχεία μήτρας Mueller 16ης τάξης, φάσμα πόλωσης Psi/Δέλτα, δείκτης διάθλασης, πάχος, διπλή διάθλαση και διηλεκτρική σταθερά, κ.λπ.
2. Φασματική περιοχή: 210nm-1690nm
3. Απόσταση μήκους κύματος: ≤0.8nm@210-1000nm, ≤3.5nm@1000-1690nm
4. Χρόνος μέτρησης σε ένα σημείο: ≤10s
5. Μέγεθος μικροκηλίδας: ≤200μm
6. Τεχνολογία διαμόρφωσης: Διαμόρφωση συστήματος διπλού περιστροφικού αντισταθμιστή PCSCA
7. Αυτόματο στάδιο δειγματοληψίας: Αυτόματη εστίαση άξονα Z, μέγιστη διαδρομή 18 mm, ελάχιστο βήμα 1 µm
8. Ακρίβεια επαναληψιμότητας πάχους φιλμ: ≤0,005nm (100nm SiO2/Si, 30 επαναλαμβανόμενες μετρήσεις, υπολογισμένες ως 1σ)
9. Ακρίβεια επαναληψιμότητας δείκτη διάθλασης: ≤0,0002 (100nm SiO2/Si, 30 επαναλαμβανόμενες μετρήσεις, υπολογισμένες ως 1σ)
10. Απόλυτη ακρίβεια πάχους φιλμ: ≤0,5% (100nm SiO2/Si, παρέχεται έκθεση μετρολογίας τρίτου μέρους)
11. Λειτουργία χαρτογράφησης: Χρησιμοποιεί ένα αυτόματο στάδιο σάρωσης υψηλής ακρίβειας τύπου x/y, υποστηρίζει την αυτόματη τοποθέτηση και τη μέτρηση σάρωσης υποστρωμάτων 2/4/6/8 ιντσών, ακρίβεια επαναληψιμότητας ≤6μm, δημιουργία χαρτών κατανομής πάχους φιλμ 2D/3D με ένα κλικ
12. Εύρος και εστίαση λέιζερ: Αυτόματος προσδιορισμός θέσης εστιακού μήκους μέσω της οπτικής διαδρομής αντανάκλασης λέιζερ, διαδρομή εστίασης ≤3mm
13. Μοντέλο διαφορών: Υπολογίζει αυτόματα τα δεδομένα διαφοράς psi-diff και delta-diff
14. Λογισμικό ανάλυσης: Διαθέτει τουλάχιστον 5 διαφορετικές λειτουργίες μέτρησης, ενσωματωμένη βάση δεδομένων n/k για πάνω από 100 οπτικά υλικά και υποστηρίζει τη δημιουργία προσαρμοσμένων βάσεων δεδομένων. Διαθέτει δυνατότητες ανάλυσης δοκιμών και μοντελοποίησης για μονόστρωτες, πολυστρωματικές (έως 30 στρώσεις) και σύνθετες εναλλασσόμενες λεπτές μεμβράνες, συμπεριλαμβανομένων των μοντέλων Cauchy, Sellmeier, Tauc-Lorentz, Bspline και Oscillator, και υποστηρίζει αδειοδότηση λογισμικού εκτός σύνδεσης.
Τεχνικές προδιαγραφές
I. Εισαγωγή Εξοπλισμού
Το ME-Mapping Spectroellipsometry διαθέτει τεχνολογία διαμόρφωσης αντισταθμιστή διπλής περιστροφής σε συνδυασμό με αλγόριθμους ανάλυσης δεδομένων υψηλής ακρίβειας. Μπορεί να αποκτήσει και τα 16 στοιχεία του πλήρους πίνακα Mueller και του φάσματος πόλωσης σε μία μόνο μέτρηση, επιτρέποντας γρήγορη και μη καταστροφική μέτρηση δείγματος. Το όργανο διαθέτει σταθερό σχεδιασμό οπτικής διαδρομής και χρησιμοποιεί ανιχνευτή ψυγμένο με ημιαγωγό, λαμβάνοντας σήματα έντασης φωτός μέσα σε δευτερόλεπτα. Προσφέρει ταχύτερη ταχύτητα μέτρησης και υψηλότερη ακρίβεια, υποστηρίζοντας ακριβή μέτρηση παραμέτρων όπως το πάχος, ο δείκτης διάθλασης, ο συντελεστής απόσβεσης και η οπτική διηλεκτρική σταθερά για διάφορα υλικά λεπτής μεμβράνης. Επιπλέον, μπορεί να προσαρμοστεί με διαφορετικά μεγέθη "wafer repeatable positioning stages" για μετρήσεις σάρωσης χαρτογράφησης πολλαπλών σημείων διαφόρων δειγμάτων μεγάλου μεγέθους.
ΙΙ. Πεδίο εφαρμογής
Οι ελλειψομετρητές χρησιμοποιούνται κυρίως σε ημιαγωγούς, επίπεδες οθόνες, ηλιακά φωτοβολταϊκά, οπτικά λεπτά φιλμ, οπτικές επικοινωνίες και νανοϋλικά.
III. Συνολικές Τεχνικές Απαιτήσεις
1. Τεχνικές προδιαγραφές:
1.1 Παράμετροι μέτρησης: Στοιχεία μήτρας Mueller 16ης τάξης, Psi/Δ, δείκτης διάθλασης, πάχος, διπλοθλαστικότητα και διηλεκτρική σταθερά, κ.λπ.
1.2 Φασματική περιοχή: 210nm-1690nm;
1.3 Χρόνος μέτρησης σε ένα σημείο: ≤10s;
1.4 Μέγεθος μικροκηλίδας: ≤200μm;
1.5 Τεχνολογία διαμόρφωσης: Διαμόρφωση αντιστάθμισης διπλής περιστροφής PC1SCA.
1.6 Αυτόματο στάδιο δειγματοληψίας: Υποστηρίζει αυτόματη εστίαση στον άξονα z, μέγιστη διαδρομή 18 mm, ελάχιστο βήμα 1 μm.
1.7 Επαναληψιμότητα πάχους φιλμ Ακρίβεια: ≤0,005nm (100nm SiO2/Si, 30 επαναλαμβανόμενες μετρήσεις, υπολογισμένο 1σ)·
1.8 Δείκτης διάθλασης Επαναληψιμότητα Ακρίβεια: ≤0,0002 (100nm SiO2/Si, 30 επαναλαμβανόμενες μετρήσεις, υπολογισμένο 1σ).
1,9 Απόλυτη ακρίβεια πάχους φιλμ: ≤0,5% (100nm SiO2/Si, παρέχεται μετρολογική έκθεση τρίτου μέρους)· μm
1.10 Λειτουργία χαρτογράφησης: Χρησιμοποιεί μια υψηλής ακρίβειας αυτόματη πλατφόρμα σάρωσης τύπου x/y, η οποία υποστηρίζει την αυτόματη τοποθέτηση και τη μέτρηση σάρωσης υποστρωμάτων 2/4/6/8 ιντσών, με ακρίβεια επαναληψιμότητας ≤6μm, και τη δημιουργία χαρτών κατανομής πάχους 2D/3D φιλμ με ένα κλικ.
1.11 Αποστασιομέτρηση και εστίαση με λέιζερ: Τοποθετεί αυτόματα την εστιακή απόσταση χρησιμοποιώντας την οπτική διαδρομή ανάκλασης λέιζερ, με διαδρομή εύρεσης εστίασης ≤3 mm.
1.12 Εύρος μέτρησης πάχους φιλμ: 1nm-10μm;
1.13 Μοντέλο Διαφορών: Υπολογίζει αυτόματα τα δεδομένα διαφοράς psi-diff και delta-diff.
1.14 Λογισμικό ανάλυσης:
* Δυνατότητες φασματοσκοπικής μέτρησης: 16 στοιχεία του πλήρους πίνακα Mueller, φασματοσκοπία πόλωσης Psi/Delta, N/C/S, αποπόλωση, κ.λπ.
* Δυνατότητες Ανάλυσης Δεδομένων: Ικανότητα ανάλυσης του πάχους και των οπτικών σταθερών (n, k) μονοστρωματικών και πολυστρωματικών (έως 20 στρώσεις) ισότροπων και ανισότροπων υλικών λεπτών μεμβρανών.
* Υποστηρίζει μοντέλα για οπτικές σταθερές, κατανομή κλίσης δείκτη διάθλασης, ισοδύναμα μέσα, τραχύτητα κ.λπ. λεπτών μεμβρανών πολλαπλών συστατικών και υλικών χύδην.
* Υποστηρίζει κοινά μοντέλα οπτικών σταθερών και κοινά μοντέλα ταλαντωτών (μοντέλο Cauchy, μοντέλο Lorentz, μοντέλο Gauss, Drude, Sellmeier, κ.λπ.), και υποστηρίζει γραφική προσαρμογή υβριδικού μοντέλου πολλαπλών ταλαντωτών.
* Υποστηρίζει την έξοδο τοπογραφικών εικόνων 2D/3D, την προβολή ιστορικών δεδομένων και την εξαγωγή και επεξεργασία δεδομένων και αντίστοιχων αναφορών.
* Μορφές εξόδου δεδομένων: TXT, CSV, στιγμιότυπο SNAP, ακατέργαστο φάσμα, DAT, κ.λπ.
* Υποστηρίζει τη μέτρηση καθυστέρησης φάσης, ικανή να ελέγξει την καθυστέρηση φάσης, τη γωνία αζιμουθίου, τη γωνία οπτικής περιστροφής, την αναλογία πλάτους, τη σειρά κ.λπ.
* Διαθέτει λειτουργίες ανάλυσης και μοντελοποίησης περιοδικής δομής πλέγματος 1D/2D.
2. Λίστα διαμόρφωσης:
1) Ένα σετ κύριας μονάδας ελλειψόμετρου.
2) Ένα σετ από κάθε βραχίονα ελλειψομετρίας και βραχίονα αναλυτή.
3) Ένα σετ αυτόματου σταδίου δειγματοληψίας.
4) Ένα σύνολο λογισμικού ανάλυσης
5) Ένα σετ τυπικών διαφανειών.
6) Ένας υπολογιστής.
7) Ένα σύνολο εργαλείων εντοπισμού σφαλμάτων.
8) Ένα σύνολο συναρμολόγησης μικρο-σημείων.
9) Μία αντλία προσρόφησης κενού.
10) Ένα στάδιο σάρωσης χαρτογράφησης.
3. Υπολογιστής Μέτρησης και Ελέγχου
Χρησιμοποιεί έναν εμπορικό, βιομηχανικό υπολογιστή με λειτουργικό σύστημα Windows 10. CPU: επεξεργαστής i7. Μνήμη: 15 GB. Σκληρός δίσκος: 1 TB. Οθόνη LCD: 24 ιντσών. Περιλαμβάνει ποντίκι και πληκτρολόγιο.
4. Περιβαλλοντικές απαιτήσεις και απαιτήσεις ισχύος:
1) Απαιτήσεις πλατφόρμας: 2,0 m (μήκος) x 1,2 m (πλάτος), ικανότητα φορτίου μεγαλύτερη από 100 kg (συνιστάται οπτική απομόνωση κραδασμών).
2) Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας: 20~30°C
3) Σχετική υγρασία: 35%~60%RH
4) Τάση τροφοδοσίας: 220VAC
5) Ρεύμα φάσης: Τιμή RMS μικρότερη από 4A (220VAC).
6) Μέγιστη ισχύς: 800W
Αντικείμενο μέτρησης ελλειψομετρίας
Αρχή Μέτρησης Ελλειψομετρίας
Διαδικασία ανάλυσης ελλειψομετρίας
Ελλειψομετρία Πίνακα Muller
Ελλειψομετρία μήτρας ME-L Mueller
Ερευνητικής ποιότητας πλήρως αυτόματη ελλειψομετρία μήτρας Mueller υψηλής ακρίβειας
Πλήρως αυτόματη ρύθμιση γωνίας και τεχνολογία εστίασης, γρήγορη μέτρηση με ένα κλικ
Καθοδηγούμενη διαδραστική διεπαφή ανθρώπου-μηχανής, βολική εμπειρία λειτουργίας λογισμικού
Πλούσια βάση δεδομένων υλικού και βιβλιοθήκη μοντέλων αλγορίθμων, ισχυρές δυνατότητες ανάλυσης δεδομένων
Τεχνικές προδιαγραφές
| Αριθμός μοντέλου | ΜΕ-Λ |
| Εφαρμογές | Βαθμός Έρευνας/Επιχείρησης |
| Βασικές λειτουργίες | Psi/Delta, R/T, Mueller Matrix και άλλοι οπτικοί αισθητήρες |
| Ανάλυση Φάσματος | 380-1000nm (υποστηρίζει επέκταση στα 193-2500nm) |
| Χρόνος μίας μέτρησης | ≤15 δευτερόλεπτα |
| Επαναληψιμότητα Ακρίβεια μέτρησης | 0,005nm |
| Απόλυτη ακρίβεια (Μέτρηση μέσω αέρα) | Παράμετροι ελλειψομετρίας: 4 = 45 ± 0,05°, A = 0 ± 0,1° Πίνακας Muller: Διαγώνιο στοιχείο m = 10,005 Στοιχείο εκτός διαγωνίου m = 0 ± 0,005 |
| Επαναληψιμότητα δείκτη διάθλασης Ακρίβεια | 0,0005 |
| Μέγεθος σημείου | Μεγάλο μέγεθος κηλίδας: 2-4 mm Μικρό μέγεθος κηλίδας: 200 μm/100 μm Εξαιρετικά μικρό μέγεθος κηλίδας: 50 μm (ανάλογα με το μήκος κύματος) |
Ο δείκτης ακρίβειας επαναληψιμότητας βασίζεται σε 30 επαναλήψιμες μετρήσεις ενός τυπικού δείγματος SiO2/Si 100nm.
Οι συγκεκριμένες τεχνικές παράμετροι του οργάνου σχετίζονται με τις πραγματικές λειτουργικές μονάδες και τα αξεσουάρ και τα δεδομένα στον πίνακα είναι μόνο για αναφορά.
Προαιρετικές διαμορφώσεις
| Επιλογή ζώνης | VN: 380-1650nm |
| Β: 380-1000nm | ΟΗΕ: 210-1650nm |
| UV: 245-1000nm | DN: 193-1650nm |
| UV+: 210-1000nm | UN+: 210-2500nm |
| DUV: 193-1000nm | DN+: 193-2500nm |
Επιλογή γωνίας
Σταθερό: 65°
Αυτόματο: 45-90°
Χειροκίνητη: 45-90° (βήματα 5°)
Άλλες επιλογές
Επιλογές χαρτογράφησης: 100*100mm/200*200mm
Στάδιο ελέγχου θερμοκρασίας: 190-550°C/RT-1000°C
Σχετικά με εμάς
Προφίλ εργοστασίου
Γιατί να μας επιλέξετε
Συχνές ερωτήσεις
Ε1: Ποιοι είμαστε;
A1: Ιδρυμένη το 2015, η MSK (Tianjin) Cutting Technology CO.Ltd αναπτύσσεται συνεχώς και έχει περάσει το Rheinland ISO 9001
Έλεγχος ταυτότητας. Με τα γερμανικά κέντρα λείανσης πέντε αξόνων υψηλής ποιότητας SACCKE, το γερμανικό κέντρο επιθεώρησης εργαλείων έξι αξόνων ZOLLER, τη μηχανή PALMARY της Ταϊβάν και άλλο διεθνή προηγμένο εξοπλισμό κατασκευής, δεσμευόμαστε να παράγουμε εργαλεία CNC υψηλής ποιότητας, επαγγελματικά και αποτελεσματικά.
Ε2: Είστε εμπορική εταιρεία ή κατασκευαστής;
A2: Είμαστε το εργοστάσιο εργαλείων καρβιδίου.
Ε3: Μπορείτε να στείλετε προϊόντα στον μεταφορέα μας στην Κίνα;
A3: Ναι, αν έχετε Forwarder στην Κίνα, θα χαρούμε να του στείλουμε προϊόντα.
Ε4: Ποιοι όροι πληρωμής είναι αποδεκτοί;
A4: Κανονικά δεχόμαστε T/T.
Ε5: Δεχόμαστε παραγγελίες OEM;
A5: Ναι, ο cOem και η προσαρμογή είναι διαθέσιμοι, και παρέχουμε επίσης την υπηρεσία εκτύπωσης ετικετών.
Ε6: Γιατί να μας επιλέξετε;
A6:1) Έλεγχος κόστους - αγορά προϊόντων υψηλής ποιότητας σε κατάλληλη τιμή.
2) Γρήγορη ανταπόκριση - εντός 48 ωρών, το επαγγελματικό προσωπικό θα σας παρέχει μια προσφορά και θα απαντήσει στις ανησυχίες σας.
3) Υψηλή ποιότητα - Η εταιρεία αποδεικνύει πάντα με ειλικρινή πρόθεση ότι τα προϊόντα που παρέχει είναι 100% υψηλής ποιότητας.
4) Εξυπηρέτηση μετά την πώληση και τεχνική καθοδήγηση - Η εταιρεία παρέχει εξυπηρέτηση μετά την πώληση και τεχνική καθοδήγηση σύμφωνα με τις απαιτήσεις και τις ανάγκες των πελατών.
Στείλτε μας το μήνυμά σας:
-
Ελατήριο 3C υψηλής ακρίβειας με στρογγυλή τρύπα, πλήρους γείωσης...
-
Εργοστάσιο CNC τρυπανιού Morse τσοκ R8 άξονας άξονα M...
-
MTA-GT BT-GT NT-GT Βάση εργαλείου σπειρώματος
-
Αυτόματη οπτική μέτρηση εικόνας 2.5D υψηλής ακρίβειας...
-
Κωνικό κολάρο MORSE CHUCK ER
-
Τόρνοι φρεζαρίσματος Εργαλείο άξονα R8-ER32 Σφιγκτήρας κόλετ...
