Elipsômetro espectroscópico de alta precisão | Sistema não destrutivo para medição de espessura de filmes finos e índice de refração

Aplicações

Este sistema é amplamente adotado na fabricação de semicondutores, revestimento óptico, telas planas, desenvolvimento de células fotovoltaicas (solares), pesquisa em ciência dos materiais e biossensores.

Por que escolher nossa solução?

Como fabricante profissional com forte capacidade de P&D, oferecemos preços direto da fábrica, configurações personalizáveis ​​e suporte técnico dedicado. Seja para um sistema de bancada para análises laboratoriais ou uma solução em linha para monitoramento de produção, podemos adaptar o instrumento às suas necessidades específicas de medição.

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Entre em contato conosco hoje mesmo para discutir sua aplicação ou solicitar um orçamento. Nossa equipe oferece consultoria técnica gratuita para ajudá-lo a selecionar a solução ideal para medição de filmes finos.

Principais parâmetros técnicos

1. Capacidades de medição: elementos da matriz de Mueller de 16ª ordem, espectro de polarização Psi/Delta, índice de refração, espessura, birrefringência e constante dielétrica, etc.

2. Faixa espectral: 210 nm - 1690 nm

3. Espaçamento de comprimento de onda: ≤0,8nm a 210-1000nm, ≤3,5nm a 1000-1690nm

4. Tempo de medição de ponto único: ≤10s

5. Tamanho do microponto: ≤200 μm

6. Tecnologia de Modulação: Modulação do sistema de compensador rotativo duplo PCSCA

7. Estágio de amostra automático: Foco automático no eixo Z, curso máximo de 18 mm, passo mínimo de 1 µm.

8. Precisão de repetibilidade da espessura do filme: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 medições repetidas, calculado como 1σ)

9. Precisão de repetibilidade do índice de refração: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 medições repetidas, calculado como 1σ)

10. Precisão absoluta da espessura do filme: ≤0,5% (100 nm SiO2/Si, relatório de metrologia de terceiros fornecido)

11. Função de mapeamento: Utiliza uma plataforma de digitalização automática tipo x/y de alta precisão, suportando o posicionamento automático e a medição por digitalização de substratos de 2/4/6/8 polegadas, com precisão de repetibilidade ≤6 μm e geração de mapas de distribuição de espessura de filme 2D/3D com um único clique.

12. Medição e focalização a laser: Posicionamento automático da distância focal por meio de caminho óptico de reflexão a laser, com deslocamento de focalização ≤3 mm.

13. Modelo de diferença: Calcula automaticamente os dados de diferença psi-diff e delta-diff.

14. Software de análise: Apresenta pelo menos 5 modos de medição diferentes, um banco de dados n/k integrado para mais de 100 materiais ópticos e suporte para a criação de bancos de dados personalizados; possui recursos de teste e análise de modelagem para filmes finos alternados de camada única, multicamadas (até 30 camadas) e compostos, incluindo modelos de Cauchy, Sellmeier, Tauc-Lorentz, B-spline e Oscilador, e suporta licenciamento de software offline.

Especificações técnicas

I. Introdução ao equipamento

O Espectroelipsômetro ME-Mapping apresenta tecnologia de modulação com compensador de dupla rotação combinada com algoritmos de análise de dados de alta precisão. Ele pode adquirir todos os 16 elementos da matriz de Mueller completa e o espectro de polarização em uma única medição, permitindo a medição rápida e não destrutiva da amostra. O instrumento possui um design de caminho óptico estável e emprega um detector resfriado por semicondutor, adquirindo sinais de intensidade de luz em segundos. Oferece maior velocidade de medição e precisão, permitindo a medição precisa de parâmetros como espessura, índice de refração, coeficiente de extinção e constante dielétrica óptica para diversos materiais de filmes finos. Além disso, pode ser personalizado com "estágios de posicionamento repetíveis de wafer" de diferentes tamanhos para medições de varredura de mapeamento multiponto de diversas amostras de grandes dimensões.