高精度分光エリプソメーター|非破壊薄膜厚さ・屈折率測定システム
注文方法
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主要指標
膜厚(単層~多層)
屈折率(n)と消衰係数(k)
光学バンドギャップ(Eg)
表面粗さ
技術的なハイライト
広範囲のスペクトル範囲:紫外線から近赤外線までをカバーし、多様な材料分析に対応
高感度:サブナノメートルスケールまでの超薄膜を測定可能
非接触・非破壊:研究開発および生産環境におけるデリケートなサンプルに最適
高度なモデリングソフトウェア:ユーザーフレンドリーなワークフローで複雑な多層スタック解析をサポートします。
アプリケーション
このシステムは、半導体製造、光学コーティング、フラットパネルディスプレイ、太陽光発電(太陽電池)開発、材料科学研究、バイオセンシングなどの分野で広く採用されている。
当社のソリューションを選ぶ理由
強力な研究開発能力を持つ専門メーカーとして、当社は工場直販価格、カスタマイズ可能な構成、そして専任の技術サポートを提供しています。実験室分析用の卓上システムから、生産監視用のインラインソリューションまで、お客様の具体的な測定ニーズに合わせて機器をカスタマイズいたします。
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お客様の用途についてご相談されたい場合、またはお見積もりをご希望の場合は、お気軽にお問い合わせください。弊社のチームが、最適な薄膜測定ソリューションの選定をサポートするため、無料の技術コンサルティングを提供いたします。
主な技術パラメータ
1. 測定機能:16次ミュラー行列要素、偏光スペクトル Psi/Delta、屈折率、厚さ、複屈折、誘電率など。
2. スペクトル範囲:210nm~1690nm
3. 波長間隔:210~1000nmで≤0.8nm、1000~1690nmで≤3.5nm
4. 単点測定時間:10秒以下
5. マイクロスポットサイズ:≤200μm
6. 変調技術:PCSCAデュアルロータリーコンペンセータシステム変調
7. 自動サンプルステージ:Z軸自動焦点調整、最大移動量18mm、最小ステップ1µm
8. 膜厚再現精度:≤0.005nm(100nm SiO2/Si、30回の繰り返し測定、1σとして算出)
9. 屈折率の再現精度:≤0.0002(100nm SiO2/Si、30回の繰り返し測定、1σとして算出)
10.膜厚の絶対精度:≤0.5%(100nm SiO2/Si、第三者機関による計測レポート提供)
11. マッピング機能:高精度x/y型自動スキャンステージを採用し、2/4/6/8インチ基板の自動位置決めとスキャン測定をサポート。再現精度は6μm以下。ワンクリックで2D/3D膜厚分布マップを生成。
12. レーザー測距および焦点合わせ:レーザー反射光路による自動焦点距離位置決め、焦点移動量≤3mm
13. 差分モデル:psi-diffとdelta-diffの差分データを自動的に計算します。
14. 解析ソフトウェア:少なくとも5つの異なる測定モード、100種類以上の光学材料のn/kデータベースを内蔵し、カスタムデータベースの作成をサポートします。単層、多層(最大30層)、複合交互薄膜のテストおよびモデリング解析機能を備え、コーシー、セルマイヤー、タウク・ローレンツ、Bスプライン、オシレーターモデルを含み、オフラインソフトウェアライセンスをサポートします。
技術仕様
I. 機器の紹介
MEマッピング分光エリプソメトリーは、高精度データ解析アルゴリズムとデュアル回転補償器変調技術を組み合わせた装置です。1回の測定で全16要素のミュラー行列と偏光スペクトルを取得できるため、迅速かつ非破壊的な試料測定が可能です。安定した光路設計と半導体冷却式検出器を採用し、数秒以内に光強度信号を取得します。これにより、測定速度と精度が向上し、様々な薄膜材料の厚さ、屈折率、消衰係数、光学誘電率などのパラメータを精密に測定できます。さらに、様々なサイズの大型試料の多点マッピングスキャン測定に対応するため、異なるサイズの「ウェハ繰り返し位置決めステージ」をカスタマイズすることも可能です。
II. 適用範囲
エリプソメトリー装置は、主に半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽光発電、光薄膜、光通信、ナノ材料などの分野で使用されています。
III. 全体的な技術要件
1. 技術仕様:
1.1 測定パラメータ:16次ミュラー行列要素、Psi/Delta、屈折率、厚さ、複屈折、誘電率など。
1.2 スペクトル範囲:210nm~1690nm
1.3 単一点測定時間:≤10秒
1.4 マイクロスポットサイズ:≤200μm;
1.5 変調技術:PC1SCAデュアル回転補償変調
1.6 自動サンプルステージ:Z軸の自動フォーカスをサポート、最大移動量18mm、最小ステップ1μm。
1.7 膜厚再現精度:≤0.005nm(100nm SiO2/Si、30回の繰り返し測定、計算された1σ)
1.8 屈折率再現精度:≤0.0002(100nm SiO2/Si、30回の繰り返し測定、計算された1σ)
1.9 絶対膜厚精度:≤0.5%(100nm SiO2/Si、第三者計測機関による報告書提供);μm
1.10 マッピング機能:高精度x/y型自動スキャンステージを採用し、2/4/6/8インチ基板の自動位置決めとスキャン測定をサポートし、再現精度は≤6μm、ワンクリックで2D/3D膜厚分布マップを生成できます。
1.11 レーザー距離測定と焦点合わせ:レーザー反射光路を使用して焦点距離を自動的に設定し、焦点合わせの移動量は3mm以下です。
1.12 膜厚測定範囲:1nm~10μm
1.13 差分モデル: psi-diff および delta-diff 差分データを自動的に計算します。
1.14 分析ソフトウェア:
* 分光測定機能:完全なミュラー行列の16要素、プサイ/デルタ偏光分光法、N/C/S、脱偏光など。
* データ分析機能:単層および多層(最大20層)の等方性および異方性薄膜材料の厚さと光学定数(n、k)を分析できます。
* 多成分薄膜およびバルク材料の光学定数、屈折率勾配分布、等価媒質、粗さなどのモデルをサポートします。
* 一般的な光学定数モデルと一般的な発振器モデル(コーシーモデル、ローレンツモデル、ガウスモデル、ドルーデ、セルマイヤーなど)をサポートし、グラフィカルなマルチ発振器ハイブリッドモデルのフィッティングをサポートします。
* 2D/3D地形画像の出力、履歴データの表示、データおよび関連レポートのエクスポートと編集をサポートします。
* データ出力形式: TXT、CSV、SNAPスナップショット、生スペクトル、DATなど。
* 位相遅延測定をサポートし、位相遅延、方位角、光回転角、振幅比、次数などをテストできます。
* 1次元/2次元周期格子構造の解析およびモデリング機能を備えています。
2. 設定リスト:
1) エリプソメーター本体1セット
2) エリプソメトリーアームとアナライザーアームをそれぞれ1セットずつ。
3) 自動サンプリングステージ1セット
4) 分析ソフトウェア一式。
5)標準スライド1セット
6)コンピュータ1台。
7)デバッグツール一式。
8) マイクロスポットアセンブリ1セット。
9)真空吸着ポンプ1台
10)マッピングスキャン段階が1つ。
3. 計測制御コンピュータ
Windows 10オペレーティングシステムを搭載した市販の産業用PCを使用。CPU:i7プロセッサ、メモリ:15GB、ハードディスク:1TB、LCDモニター:24インチ。マウスとキーボードが付属。
4. 環境および電力要件:
1) プラットフォームの要件:長さ2.0m×幅1.2m、耐荷重100kg以上(光学式防振装置を推奨)。
2) 動作温度範囲:20~30℃
3) 相対湿度:35%~60%RH
4) 電源電圧:220VAC
5) 相電流:実効値が4A(220VAC)未満。
6) 最大出力: 800W
エリプソメトリー測定対象物
エリプソメトリー測定原理
エリプソメトリー解析プロセス
ミュラー行列エリプソメトリー
ME-L ミューラー行列エリプソメトリー
研究グレードの完全自動高精度ミュラー行列楕円測定装置
完全自動角度調整およびフォーカス技術、ワンクリックで高速測定
ガイド付きインタラクティブヒューマンマシンインターフェース、便利なソフトウェア操作体験
豊富な材料データベースとアルゴリズムモデルライブラリ、強力なデータ分析機能
技術仕様
| 型番 | ME-L |
| アプリケーション | 研究・企業向けグレード |
| 基本機能 | プサイ/デルタ、R/T、ミューラーマトリックス、およびその他の光学センサー |
| スペクトル分析 | 380~1000nm(193~2500nmへの拡張に対応) |
| 単一測定時間 | 15秒以下 |
| 再現性測定精度 | 0.005nm |
| 絶対精度(空気の透過測定) | エリプソメトリーパラメータ:4 = 45 ± 0.05°、A = 0 ± 0.1° ミュラー行列:対角要素 m = 10.005 非対角要素 m = 0 ± 0.005 |
| 屈折率の再現精度 | 0.0005 |
| スポットサイズ | スポットサイズ(大):2~4mm 小スポットサイズ:200μm/100μm 超小型スポットサイズ:50μm(波長による) |
再現性精度指標は、100nmのSiO2/Si標準サンプルに対する30回の再現性のある測定に基づいています。
機器の具体的な技術仕様は、実際の機能モジュールおよび付属品に関連するものであり、表中のデータは参考値としてのみご利用ください。
オプション構成
| バンドセレクション | VN: 380~1650nm |
| V: 380~1000nm | UN: 210~1650nm |
| 紫外線:245~1000nm | DN: 193-1650nm |
| UV+:210~1000nm | UN+: 210~2500nm |
| DUV: 193~1000nm | DN+: 193-2500nm |
角度選択
固定角度:65°
自動:45~90°
手動調整:45~90°(5°刻み)
その他の選択肢
マッピングオプション:100×100mm/200×200mm
温度制御段階:190~550℃/室温~1000℃
私たちについて
工場概要
当社を選ぶ理由
よくある質問
Q1:私たちは誰ですか?
A1: 2015年に設立されたMSK(天津)切断技術有限公司は、継続的に成長し、ラインランドISO 9001認証を取得しました。
認証。ドイツのSACCKE社製ハイエンド5軸研削盤、ドイツのZOLLER社製6軸工具検査センター、台湾のPALMARY社製機械、その他国際的に先進的な製造設備を備え、当社はハイエンドでプロフェッショナルかつ効率的なCNC工具の製造に取り組んでいます。
Q2:貴社は商社ですか、それとも製造業者ですか?
A2:弊社は超硬工具の製造工場です。
Q3:中国にある弊社の運送業者に製品を送っていただけますか?
A3:はい、中国にフォワーダーがいらっしゃる場合は、喜んでそのフォワーダー宛てに製品をお送りいたします。
Q4:どのような支払い条件が受け入れられますか?
A4:通常、弊社ではT/T(電信送金)を受け付けております。
Q5:OEM注文は受け付けていますか?
A5:はい、OEMおよびカスタマイズに対応しており、ラベル印刷サービスも提供しています。
Q6:なぜ当社を選ぶべきなのでしょうか?
A61) コスト管理 - 適正価格で高品質の製品を購入する。
2) 迅速な対応 - 48時間以内に専門スタッフが見積もりを提示し、お客様のご懸念事項に対応いたします。
3) 高品質 - 当社は常に誠意をもって、提供する製品が100%高品質であることを証明しています。
4) アフターサービスと技術指導 - 当社は、お客様のご要望やニーズに応じてアフターサービスと技術指導を提供します。




