Zeer nauwkeurige spectroscopische ellipsometer | Niet-destructief systeem voor het meten van dunnefilmdikte en brekingsindex
Bestelinstructies
Vanwege de specifieke aard van het product is de prijs die op de pagina wordt weergegeven een aanbetaling en niet de uiteindelijke prijs. Neem contact op met de klantenservice voor een prijsopgave.
Bestellingen die direct zonder voorafgaand contact worden geplaatst, kunnen niet worden verzonden! Bedankt voor uw medewerking! Neem voor meer productinformatie contact op met de klantenservice om productbrochures te ontvangen.
Kernmetingen
Filmdikte (enkel- tot meerlaags)
Brekingsindex (n) & Extinctiecoëfficiënt (k)
Optische bandafstand (Eg)
Oppervlakteruwheid
Technische hoogtepunten
Breed spectraalbereik: UV- tot NIR-dekking voor veelzijdige materiaalanalyse.
Hoge gevoeligheid: Geschikt voor het meten van ultradunne films tot op subnanometer schaal.
Contactloos en niet-destructief: Ideaal voor gevoelige monsters in R&D- en productieomgevingen.
Geavanceerde modelleringssoftware: ondersteunt complexe meerlaagse stapelanalyses met gebruiksvriendelijke workflows.
Toepassingen
Dit systeem wordt veelvuldig toegepast in de halfgeleiderproductie, optische coatings, platte beeldschermen, de ontwikkeling van fotovoltaïsche cellen (zonnecellen), materiaalkundig onderzoek en biosensing.
Waarom kiezen voor onze oplossing?
Als professionele fabrikant met sterke R&D-capaciteiten bieden wij fabrieksprijzen, aanpasbare configuraties en toegewijde technische ondersteuning. Of u nu een tafelmodel nodig heeft voor laboratoriumanalyses of een inline-oplossing voor productiebewaking, wij kunnen het instrument afstemmen op uw specifieke meetbehoeften.
Vraag een offerte aan
Neem vandaag nog contact met ons op om uw toepassing te bespreken of een offerte aan te vragen. Ons team biedt gratis technisch advies om u te helpen bij het selecteren van de optimale oplossing voor dunnefilmmetingen.
Belangrijkste technische parameters
1. Meetmogelijkheden: 16e-orde Mueller-matrixelementen, polarisatiespectrum Psi/Delta, brekingsindex, dikte, dubbele breking en diëlektrische constante, enz.
2. Spectraal bereik: 210 nm - 1690 nm
3. Golflengteafstand: ≤0,8 nm bij 210-1000 nm, ≤3,5 nm bij 1000-1690 nm
4. Meetduur op één punt: ≤10s
5. Microspotgrootte: ≤200 μm
6. Modulatietechnologie: PCSCA dubbele roterende compensatorsysteemmodulatie
7. Automatisch monsterplatform: automatische scherpstelling in de Z-as, maximale verplaatsing 18 mm, minimale stapgrootte 1 µm.
8. Nauwkeurigheid van de herhaalbaarheid van de filmdikte: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 herhaalde metingen, berekend als 1σ)
9. Nauwkeurigheid van de herhaalbaarheid van de brekingsindex: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 herhaalde metingen, berekend als 1σ)
10. Absolute nauwkeurigheid van de filmdikte: ≤0,5% (100 nm SiO2/Si, rapport van een onafhankelijke metrologie-instantie beschikbaar)
11. Kaartfunctie: Maakt gebruik van een zeer nauwkeurig automatisch scanplatform van het x/y-type, ondersteunt automatische positionering en scanmeting van substraten van 2/4/6/8 inch, herhaalbaarheidsnauwkeurigheid ≤6 μm, genereren met één klik 2D/3D-filmdikteverdelingskaarten.
12. Laserbereikmeting en -focussering: Automatische positionering van de brandpuntsafstand via een optisch pad met laserreflectie, scherpstelbereik ≤3 mm
13. Verschilmodel: Berekent automatisch de psi-diff- en delta-diff-verschilgegevens.
14. Analysesoftware: Beschikt over ten minste 5 verschillende meetmodi, een ingebouwde n/k-database voor meer dan 100 optische materialen en ondersteunt het creëren van aangepaste databases; biedt test- en modelleringsanalysemogelijkheden voor enkellaagse, meerlaagse (tot 30 lagen) en samengestelde afwisselende dunne films, inclusief Cauchy-, Sellmeier-, Tauc-Lorentz-, Bspline- en oscillatormodellen, en ondersteunt offline softwarelicenties.
Technische specificaties
I. Inleiding van de apparatuur
De ME-Mapping Spectroellipsometrie maakt gebruik van dual-rotation compensator modulatietechnologie in combinatie met zeer nauwkeurige data-analysealgoritmen. Het instrument kan alle 16 elementen van de volledige Mueller-matrix en het polarisatiespectrum in één meting vastleggen, waardoor snelle en niet-destructieve monstermetingen mogelijk zijn. Het instrument beschikt over een stabiel optisch padontwerp en maakt gebruik van een halfgeleidergekoelde detector, die lichtintensiteitssignalen binnen enkele seconden registreert. Het biedt een hogere meetsnelheid en nauwkeurigheid, waardoor precieze metingen van parameters zoals dikte, brekingsindex, extinctiecoëfficiënt en optische diëlektrische constante voor diverse dunne filmmaterialen mogelijk zijn. Bovendien kan het worden aangepast met verschillende formaten "wafer repeatable positioning stages" voor multi-point mapping scanning-metingen van diverse grote monsters.
II. Toepassingsgebied
Ellipsometers worden voornamelijk gebruikt in de halfgeleiderindustrie, platte beeldschermen, zonnecellen, optische dunne films, optische communicatie en nanomaterialen.
III. Algemene technische vereisten
1. Technische specificaties:
1.1 Meetparameters: 16e-orde Mueller-matrixelementen, Psi/Delta, brekingsindex, dikte, dubbele breking en diëlektrische constante, enz.
1.2 Spectraal bereik: 210 nm-1690 nm;
1.3 Meetduur per punt: ≤10s;
1.4 Microspotgrootte: ≤200 μm;
1.5 Modulatietechnologie: PC1SCA dubbele rotatiecompensatiemodulatie;
1.6 Automatisch monsterplatform: Ondersteunt automatische scherpstelling langs de z-as, maximale verplaatsing 18 mm, minimale stapgrootte 1 μm;
1.7 Herhaalbaarheidsnauwkeurigheid van de filmdikte: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 herhaalde metingen, berekende 1σ);
1.8 Herhaalbaarheidsnauwkeurigheid van de brekingsindex: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 herhaalde metingen, berekende 1σ);
1.9 Nauwkeurigheid van de absolute filmdikte: ≤0,5% (100 nm SiO2/Si, rapport van een onafhankelijke metrologie-instantie beschikbaar); μm
1.10 Kaartfunctie: Maakt gebruik van een zeer nauwkeurig x/y-type automatisch scanplatform, dat automatische positionering en scanmeting van 2/4/6/8-inch substraten ondersteunt, met een herhaalbaarheidsnauwkeurigheid van ≤6 μm, en het genereren van 2D/3D-filmdikteverdelingskaarten met één klik;
1.11 Laser afstandsmeting en scherpstelling: De brandpuntsafstand wordt automatisch bepaald met behulp van het optische pad van de laserreflectie, met een scherpstelbereik van ≤3 mm;
1.12 Meetbereik voor filmdikte: 1 nm-10 μm;
1.13 Verschilmodel: Berekent automatisch de psi-diff- en delta-diff-verschilgegevens;
1.14 Analysesoftware:
* Spectroscopische meetmogelijkheden: 16 elementen van de volledige Mueller-matrix, Psi/Delta-polarisatiespectroscopie, N/C/S, depolarisatie, enz.;
* Mogelijkheden voor data-analyse: Kan de dikte en optische constanten (n, k) analyseren van enkellaags en meerlaags (tot 20 lagen) isotrope en anisotrope dunnefilmmaterialen;
* Ondersteunt modellen voor optische constanten, verdeling van de brekingsindexgradiënt, equivalente media, ruwheid, enz., van meercomponenten dunne films en bulkmaterialen;
* Ondersteunt gangbare optische constantenmodellen en gangbare oscillatormodellen (Cauchy-model, Lorentz-model, Gauss-model, Drude, Sellmeier, enz.), en ondersteunt grafische aanpassing van hybride modellen met meerdere oscillatoren;
* Ondersteunt het genereren van 2D/3D topografische afbeeldingen, het bekijken van historische gegevens en het exporteren en bewerken van gegevens en bijbehorende rapporten;
* Uitvoerformaten voor gegevens: TXT, CSV, SNAP-snapshot, onbewerkt spectrum, DAT, enz.;
* Ondersteunt fasevertragingmeting, geschikt voor het testen van fasevertraging, azimuthoek, optische rotatiehoek, amplituderatio, orde, enz.;
* Beschikt over functies voor 1D/2D periodieke roosterstructuuranalyse en -modellering.
2. Configuratielijst:
1) Eén set ellipsometer-hoofdeenheid;
2) Een set van zowel een ellipsometrie-arm als een analyse-arm;
3) Eén set automatische monsternemingsmodules;
4) Eén set analysesoftware;
5) Een set standaard dia's;
6) Eén computer;
7) Een set debugtools;
8) Eén set micro-spotassemblage;
9) Een vacuümadsorptiepomp;
10) Eén scanfase voor het in kaart brengen.
3. Meet- en regelcomputer
Gebruikt een commerciële industriële pc met Windows 10-besturingssysteem; CPU: i7-processor; Geheugen: 15 GB; Harde schijf: 1 TB; LCD-monitor: 24 inch; inclusief muis en toetsenbord.
4. Milieu- en energievereisten:
1) Platformvereisten: 2,0 m (lengte) x 1,2 m (breedte), draagvermogen groter dan 100 kg (optische trillingsisolatie aanbevolen).
2) Bedrijfstemperatuurbereik: 20~30°C
3) Relatieve luchtvochtigheid: 35%~60% RV
4) Voedingsspanning: 220VAC
5) Fasestroom: RMS-waarde minder dan 4A (220VAC);
6) Maximaal vermogen: 800W
Ellipsometrie meetobject
Ellipsometrie meetprincipe
Ellipsometrie-analyseproces
Muller-matrix-ellipsometrie
ME-L Mueller Matrix Ellipsometrie
Volautomatische, uiterst nauwkeurige Mueller-matrixellipsometrie van onderzoekskwaliteit
Volautomatische hoekaanpassing en scherpsteltechnologie, snelle meting met één druk op de knop.
Begeleide interactieve mens-machine-interface, prettige softwarebediening.
Uitgebreide materiaaldatabase en algoritmemodelbibliotheek, krachtige mogelijkheden voor data-analyse.
Technische specificaties
| Modelnummer | ME-L |
| Toepassingen | Onderzoeks-/bedrijfskwaliteit |
| Basisfuncties | Psi/Delta, R/T, Mueller Matrix en andere optische sensoren |
| Spectrumanalyse | 380-1000 nm (ondersteunt uitbreiding tot 193-2500 nm) |
| Enkele meettijd | ≤15s |
| Herhaalbaarheidsmeting Nauwkeurigheid | 0,005 nm |
| Absolute nauwkeurigheid (doorstroommeting in de lucht) | Ellipsometrie-parameters: 4 = 45 ± 0,05°, A = 0 ± 0,1° Muller-matrix: Diagonaal element m = 10,005 Niet-diagonaal element m = 0 ± 0,005 |
| Nauwkeurigheid van de herhaalbaarheid van de brekingsindex | 0,0005 |
| Spotgrootte | Grote spotgrootte: 2-4 mm Kleine spotgrootte: 200 μm/100 μm Ultrakleine spotgrootte: 50 μm (afhankelijk van de golflengte) |
De herhaalbaarheidsnauwkeurigheidsindex is gebaseerd op 30 herhaalbare metingen van een 100 nm SiO2/Si-standaardmonster;
De specifieke technische parameters van het instrument hebben betrekking op de daadwerkelijke functionele modules en accessoires, en de gegevens in de tabel dienen slechts ter referentie.
Optionele configuraties
| Bandselectie | VN: 380-1650 nm |
| V: 380-1000 nm | VN: 210-1650 nm |
| UV: 245-1000 nm | DN: 193-1650 nm |
| UV+: 210-1000 nm | UN+: 210-2500 nm |
| DUV: 193-1000 nm | DN+: 193-2500 nm |
Hoekselectie
Vast: 65°
Automatisch: 45-90°
Handmatig: 45-90° (in stappen van 5°)
Andere opties
Mappingopties: 100*100mm/200*200mm
Temperatuurregelingsfase: 190-550°C / RT-1000°C
Over ons
Fabrieksprofiel
Waarom voor ons kiezen?
Veelgestelde vragen
Vraag 1: Wie zijn wij?
A1: MSK (Tianjin) Cutting Technology CO.Ltd, opgericht in 2015, is continu gegroeid en heeft het Rheinland ISO 9001-certificaat behaald.
authenticatie. Met hoogwaardige vijfassige slijpcentra van SACCKE uit Duitsland, een zesassig gereedschapsinspectiecentrum van ZOLLER uit Duitsland, machines van PALMARY uit Taiwan en andere internationaal geavanceerde productieapparatuur, zetten wij ons in voor de productie van hoogwaardige, professionele en efficiënte CNC-gereedschappen.
Vraag 2: Bent u een handelsonderneming of een fabrikant?
A2: Wij zijn een fabriek voor hardmetalen gereedschappen.
Vraag 3: Kunt u producten naar onze expediteur in China sturen?
A3: Ja, als u een expediteur in China heeft, sturen we de producten graag naar hem/haar toe.
Vraag 4: Welke betalingsvoorwaarden zijn acceptabel?
A4: Normaal gesproken accepteren we T/T.
Vraag 5: Accepteert u OEM-bestellingen?
A5: Ja, OEM en maatwerk zijn mogelijk, en we bieden ook een labelprintservice aan.
Vraag 6: Waarom zou u voor ons kiezen?
A61) Kostenbeheersing - het inkopen van hoogwaardige producten tegen een passende prijs.
2) Snelle reactie - binnen 48 uur ontvangt u van onze professionele medewerkers een offerte en worden uw vragen beantwoord.
3) Hoge kwaliteit - Het bedrijf bewijst altijd met oprechte intentie dat de producten die het levert 100% van hoge kwaliteit zijn.
4) Klantenservice en technische ondersteuning - Het bedrijf biedt klantenservice en technische ondersteuning op basis van de wensen en behoeften van de klant.
