Yüksek Hassasiyetli Spektroskopik Elipsometre | Tahribatsız İnce Film Kalınlığı ve Kırılma İndeksi Ölçüm Sistemi

Uygulamalar

Bu sistem, yarı iletken üretiminde, optik kaplamada, düz panel ekranlarda, fotovoltaik (güneş pili) geliştirmede, malzeme bilimi araştırmalarında ve biyosensörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Çözümümüzü Neden Seçmelisiniz?

Güçlü Ar-Ge yeteneklerine sahip profesyonel bir üretici olarak, doğrudan fabrika fiyatları, özelleştirilebilir konfigürasyonlar ve özel teknik destek sunuyoruz. İster laboratuvar analizi için masaüstü bir sisteme, ister üretim izleme için hat içi bir çözüme ihtiyacınız olsun, cihazı özel ölçüm ihtiyaçlarınıza göre uyarlayabiliriz.

Fiyat Teklifi İsteyin

Uygulamanız hakkında görüşmek veya fiyat teklifi almak için bugün bizimle iletişime geçin. Ekibimiz, en uygun ince film ölçüm çözümünü seçmenize yardımcı olmak için ücretsiz teknik danışmanlık hizmeti sunmaktadır.

Başlıca Teknik Parametreler

1. Ölçüm Yetenekleri: 16. dereceden Mueller matris elemanları, polarizasyon spektrumu Psi/Delta, kırılma indisi, kalınlık, çift kırılma ve dielektrik sabiti vb.

2. Spektral Aralık: 210nm-1690nm

3. Dalga Boyu Aralığı: ≤0,8 nm@210-1000 nm, ≤3,5 nm@1000-1690 nm

4. Tek Nokta Ölçüm Süresi: ≤10 saniye

5. Mikro nokta boyutu: ≤200 μm

6. Modülasyon Teknolojisi: PCSCA çift döner kompansatör sistem modülasyonu

7. Otomatik Numune Tablası: Z ekseni otomatik odaklama, maksimum hareket mesafesi 18 mm, minimum adım 1 µm

8. Film kalınlığı tekrarlanabilirlik doğruluğu: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 tekrarlı ölçüm, 1σ olarak hesaplandı)

9. Kırılma indisi tekrarlanabilirlik doğruluğu: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 tekrarlı ölçüm, 1σ olarak hesaplandı)

10. Mutlak film kalınlığı doğruluğu: ≤0,5% (100nm SiO2/Si, üçüncü taraf ölçüm raporu sağlanmıştır)

11. Haritalama fonksiyonu: Yüksek hassasiyetli x/y tipi otomatik tarama tablası kullanır, 2/4/6/8 inçlik alt tabakaların otomatik konumlandırma ve tarama ölçümünü destekler, tekrarlanabilirlik doğruluğu ≤6μm, tek tıklamayla 2D/3D film kalınlığı dağılım haritaları oluşturma imkanı sunar.

12. Lazer mesafe ölçümü ve odaklama: Lazer yansıma optik yoluyla otomatik odak uzaklığı konumlandırma, odaklama mesafesi ≤3 mm

13. Fark modeli: Psi-diff ve delta-diff fark verilerini otomatik olarak hesaplar.

14. Analiz yazılımı: En az 5 farklı ölçüm moduna, 100'den fazla optik malzeme için yerleşik bir n/k veritabanına sahiptir ve özel veritabanları oluşturmayı destekler; Cauchy, Sellmeier, Tauc-Lorentz, Bspline ve Osilatör modelleri de dahil olmak üzere tek katmanlı, çok katmanlı (30 katmana kadar) ve kompozit alternatif ince filmler için test ve modelleme analiz yeteneklerine sahiptir ve çevrimdışı yazılım lisanslamasını destekler.

Teknik Özellikler

I. Ekipman Tanıtımı

ME-Haritalama Spektroellipsometrisi, yüksek hassasiyetli veri analiz algoritmalarıyla birleştirilmiş çift dönüşlü kompansatör modülasyon teknolojisine sahiptir. Tek bir ölçümde tam Mueller matrisinin ve polarizasyon spektrumunun 16 elemanının tamamını elde edebilir, böylece hızlı ve tahribatsız numune ölçümü sağlar. Cihaz, kararlı bir optik yol tasarımına sahiptir ve yarı iletken soğutmalı bir dedektör kullanarak ışık yoğunluğu sinyallerini saniyeler içinde alır. Daha hızlı ölçüm hızı ve daha yüksek doğruluk sunarak, çeşitli ince film malzemeleri için kalınlık, kırılma indisi, sönüm katsayısı ve optik dielektrik sabiti gibi parametrelerin hassas ölçümünü destekler. Ayrıca, çeşitli büyük boyutlu numunelerin çok noktalı haritalama tarama ölçümleri için farklı boyutlarda "tekrarlanabilir plaka konumlandırma aşamaları" ile özelleştirilebilir.