Hochpräzises spektroskopisches Ellipsometer | Zerstörungsfreies Messsystem für Dünnschichtdicke und Brechungsindex
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Wichtige Messgrößen
Schichtdicke (einschichtig bis mehrschichtig)
Brechungsindex (n) und Extinktionskoeffizient (k)
Optische Bandlücke (Eg)
Oberflächenrauheit
Technische Highlights
Breiter Spektralbereich: UV- bis NIR-Abdeckung für vielseitige Materialanalysen
Hohe Empfindlichkeit: Geeignet zur Messung ultradünner Schichten bis in den Subnanometerbereich.
Berührungslos und zerstörungsfrei: Ideal für empfindliche Proben in Forschungs- und Entwicklungsumgebungen sowie in der Produktion.
Fortschrittliche Modellierungssoftware: Unterstützt komplexe, mehrschichtige Stapelanalysen mit benutzerfreundlichen Arbeitsabläufen.
Anwendungen
Dieses System findet breite Anwendung in der Halbleiterfertigung, der optischen Beschichtung, bei Flachbildschirmen, der Entwicklung von Photovoltaikzellen (Solarzellen), der Materialforschung und der Biosensorik.
Warum Sie sich für unsere Lösung entscheiden sollten
Als professioneller Hersteller mit starker Forschungs- und Entwicklungskompetenz bieten wir Ihnen Preise direkt ab Werk, individuell anpassbare Konfigurationen und engagierten technischen Support. Ob Sie ein Tischgerät für Laboranalysen oder eine Inline-Lösung für die Produktionsüberwachung benötigen – wir passen das Gerät exakt an Ihre Messanforderungen an.
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Wichtigste technische Parameter
1. Messmöglichkeiten: Mueller-Matrixelemente 16. Ordnung, Polarisationsspektrum Psi/Delta, Brechungsindex, Dicke, Doppelbrechung und Dielektrizitätskonstante usw.
2. Spektralbereich: 210 nm–1690 nm
3. Wellenlängenabstand: ≤0,8 nm bei 210–1000 nm, ≤3,5 nm bei 1000–1690 nm
4. Einzelpunkt-Messzeit: ≤10 s
5. Mikrospotgröße: ≤200μm
6. Modulationstechnologie: PCSCA-Doppelrotationskompensatorsystemmodulation
7. Automatischer Probentisch: Automatische Fokussierung entlang der Z-Achse, maximaler Verfahrweg 18 mm, minimaler Schritt 1 µm
8. Wiederholgenauigkeit der Filmdickenmessung: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 wiederholte Messungen, berechnet als 1σ)
9. Genauigkeit der Wiederholbarkeit des Brechungsindex: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 wiederholte Messungen, berechnet als 1σ)
10. Absolute Schichtdickengenauigkeit: ≤0,5 % (100 nm SiO2/Si, Metrologiebericht eines Drittanbieters liegt vor)
11. Kartierungsfunktion: Verwendet einen hochpräzisen automatischen XY-Scantisch, unterstützt die automatische Positionierung und Scanmessung von 2/4/6/8-Zoll-Substraten, Wiederholgenauigkeit ≤ 6 μm, Erstellung von 2D/3D-Schichtdickenverteilungskarten per Mausklick.
12. Laserentfernungsmessung und -fokussierung: Automatische Fokussierungseinstellung mittels Laserreflexion, Fokussierweg ≤ 3 mm
13. Differenzmodell: Berechnet automatisch Psi-Differenz- und Delta-Differenzdaten.
14. Analysesoftware: Verfügt über mindestens 5 verschiedene Messmodi, eine integrierte n/k-Datenbank für über 100 optische Materialien und unterstützt die Erstellung benutzerdefinierter Datenbanken; besitzt Test- und Modellierungsanalysefunktionen für einschichtige, mehrschichtige (bis zu 30 Schichten) und zusammengesetzte alternierende Dünnschichten, einschließlich Cauchy-, Sellmeier-, Tauc-Lorentz-, B-Spline- und Oszillator-Modelle, und unterstützt Offline-Softwarelizenzierung.
Technische Spezifikationen
I. Geräteeinführung
Die ME-Mapping-Spektroellipsometrie nutzt eine Modulationstechnologie mit Doppelrotationskompensator in Kombination mit hochpräzisen Datenanalysealgorithmen. Sie erfasst alle 16 Elemente der vollständigen Mueller-Matrix und des Polarisationsspektrums in einer einzigen Messung und ermöglicht so eine schnelle und zerstörungsfreie Probenanalyse. Das Gerät zeichnet sich durch ein stabiles optisches Pfaddesign und einen halbleitergekühlten Detektor aus und erfasst Lichtintensitätssignale innerhalb von Sekunden. Es bietet höhere Messgeschwindigkeit und Genauigkeit und unterstützt die präzise Messung von Parametern wie Dicke, Brechungsindex, Extinktionskoeffizient und optischer Dielektrizitätskonstante für verschiedene Dünnschichtmaterialien. Darüber hinaus kann es mit unterschiedlich großen, wiederholbaren Wafer-Positioniertischen für Mehrpunkt-Mapping-Scans an großflächigen Proben angepasst werden.
II. Anwendungsbereich
Ellipsometer werden hauptsächlich in der Halbleiterindustrie, bei Flachbildschirmen, in der Solar-Photovoltaik, bei optischen Dünnschichten, in der optischen Kommunikation und bei Nanomaterialien eingesetzt.
III. Allgemeine technische Anforderungen
1. Technische Spezifikationen:
1.1 Messparameter: Mueller-Matrixelemente 16. Ordnung, Psi/Delta, Brechungsindex, Dicke, Doppelbrechung und Dielektrizitätskonstante usw.
1.2 Spektralbereich: 210 nm-1690 nm;
1.3 Messzeit an einem einzelnen Messpunkt: ≤10s;
1.4 Mikrospotgröße: ≤200μm;
1.5 Modulationstechnologie: PC1SCA Dual-Rotation-Kompensationsmodulation;
1.6 Automatischer Probentisch: Unterstützt automatische Fokussierung entlang der z-Achse, maximaler Verfahrweg 18 mm, minimaler Schritt 1 μm;
1.7 Wiederholgenauigkeit der Filmdicke: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 wiederholte Messungen, berechnetes 1σ);
1.8 Wiederholgenauigkeit des Brechungsindex: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 wiederholte Messungen, berechnetes 1σ);
1.9 Absolute Schichtdickengenauigkeit: ≤0,5 % (100 nm SiO₂/Si, Metrologiebericht eines Drittanbieters liegt vor); μm
1.10 Mapping-Funktion: Verwendet einen hochpräzisen automatischen x/y-Scantisch, der die automatische Positionierung und Scanmessung von 2/4/6/8-Zoll-Substraten mit einer Wiederholgenauigkeit von ≤6μm und die Generierung von 2D/3D-Schichtdickenverteilungskarten mit einem Klick unterstützt;
1.11 Laser-Entfernungsmessung und Fokussierung: Automatische Positionierung der Brennweite mittels Laserreflexion, Fokusfindungsweg ≤3 mm;
1.12 Messbereich der Filmdicke: 1 nm - 10 μm;
1.13 Differenzmodell: Berechnet automatisch psi-diff- und delta-diff-Differenzdaten;
1.14 Analysesoftware:
* Spektroskopische Messmöglichkeiten: 16 Elemente der vollständigen Mueller-Matrix, Psi/Delta-Polarisationsspektroskopie, N/C/S, Depolarisation usw.;
* Datenanalysefähigkeiten: Kann die Dicke und die optischen Konstanten (n, k) von ein- und mehrschichtigen (bis zu 20 Schichten) isotropen und anisotropen Dünnschichtmaterialien analysieren;
* Unterstützt Modelle für optische Konstanten, Brechungsindexgradientenverteilung, äquivalente Medien, Rauheit usw. von Mehrkomponenten-Dünnschichten und Massenmaterialien;
* Unterstützt gängige optische Konstantenmodelle und gängige Oszillatormodelle (Cauchy-Modell, Lorentz-Modell, Gauß-Modell, Drude, Sellmeier usw.) und unterstützt die grafische Anpassung von Hybridmodellen mit mehreren Oszillatoren;
* Unterstützt die Ausgabe von topografischen 2D/3D-Bildern, die Anzeige historischer Daten sowie den Export und die Bearbeitung von Daten und entsprechenden Berichten;
* Datenausgabeformate: TXT, CSV, SNAP-Snapshot, Rohspektrum, DAT usw.;
* Unterstützt die Phasenverzögerungsmessung und kann Phasenverzögerung, Azimutwinkel, optischen Drehwinkel, Amplitudenverhältnis, Ordnung usw. testen;
* Verfügt über Analyse- und Modellierungsfunktionen für periodische Gitterstrukturen in 1D und 2D.
2. Konfigurationsliste:
1) Ein Satz Ellipsometer-Haupteinheit;
2) Je ein Satz Ellipsometriearm und Analysatorarm;
3) Ein Satz automatischer Probenahmestufen;
4) Ein Satz Analysesoftware;
5) Ein Satz Standard-Dias;
6) Ein Computer;
7) Ein Satz von Debugging-Tools;
8) Ein Satz Mikropunktanordnung;
9) Eine Vakuumadsorptionspumpe;
10) Eine Kartierungsscanphase.
3. Mess- und Regelcomputer
Verwendet einen handelsüblichen Industrie-PC mit Windows 10 Betriebssystem; CPU: i7 Prozessor; Arbeitsspeicher: 15 GB; Festplatte: 1 TB; LCD-Monitor: 24 Zoll; inklusive Maus und Tastatur.
4. Umwelt- und Energieanforderungen:
1) Plattformanforderungen: 2,0 m (Länge) x 1,2 m (Breite), Tragfähigkeit größer als 100 kg (optische Schwingungsisolierung empfohlen).
2) Betriebstemperaturbereich: 20~30°C
3) Relative Luftfeuchtigkeit: 35 % bis 60 % rF
4) Versorgungsspannung: 220 V AC
5) Phasenstrom: Effektivwert kleiner als 4 A (220 V AC);
6) Maximale Leistung: 800 W
Ellipsometrie-Messobjekt
Messprinzip der Ellipsometrie
Ellipsometrie-Analyseverfahren
Müller-Matrix-Ellipsometrie
ME-L Mueller Matrix Ellipsometrie
Vollautomatische, hochpräzise Mueller-Matrix-Ellipsometrie in Forschungsqualität
Vollautomatische Winkeleinstellung und Fokussiertechnik, schnelle Messung mit einem Klick
Geführte interaktive Mensch-Maschine-Schnittstelle, komfortable Softwarebedienung
Umfangreiche Materialdatenbank und Algorithmenmodellbibliothek, leistungsstarke Datenanalysefunktionen
Technische Spezifikationen
| Modellnummer | ME-L |
| Anwendungen | Forschungs-/Unternehmensstufe |
| Grundfunktionen | Psi/Delta-, R/T-, Mueller-Matrix- und andere optische Sensoren |
| Spektralanalyse | 380-1000 nm (erweiterbar auf 193-2500 nm) |
| Einzelmesszeit | ≤15s |
| Wiederholbarkeitsmessungsgenauigkeit | 0,005 nm |
| Absolute Genauigkeit (Durchflussmessung in Luft) | Ellipsometrieparameter: 4 = 45 ± 0,05°, A = 0 ± 0,1° Müller-Matrix: Diagonalelement m = 10,005 Nichtdiagonalelement m = 0 ± 0,005 |
| Genauigkeit der Wiederholbarkeit des Brechungsindex | 0,0005 |
| Spotgröße | Großer Spotdurchmesser: 2-4 mm Kleine Spotgröße: 200 μm/100 μm Extrem kleiner Spotdurchmesser: 50 μm (abhängig von der Wellenlänge) |
Der Genauigkeitsindex für die Wiederholbarkeit basiert auf 30 wiederholbaren Messungen einer 100 nm SiO2/Si-Standardprobe;
Die konkreten technischen Parameter des Instruments beziehen sich auf die tatsächlichen Funktionsmodule und Zubehörteile; die Daten in der Tabelle dienen nur als Referenz.
Optionale Konfigurationen
| Bandauswahl | VN: 380-1650 nm |
| V: 380-1000 nm | UN: 210-1650 nm |
| UV: 245-1000 nm | DN: 193-1650 nm |
| UV+: 210-1000 nm | UN+: 210-2500 nm |
| DUV: 193-1000 nm | DN+: 193-2500 nm |
Winkelauswahl
Fest: 65°
Automatisch: 45-90°
Manuell: 45-90° (5°-Schritte)
Weitere Optionen
Mapping-Optionen: 100*100 mm / 200*200 mm
Temperaturregelungsstufe: 190-550°C/RT-1000°C
Über uns
Werksprofil
Warum Sie sich für uns entscheiden sollten
Häufig gestellte Fragen
Frage 1: Wer sind wir?
A1: Die 2015 gegründete MSK (Tianjin) Cutting Technology CO.Ltd ist kontinuierlich gewachsen und hat die Rheinland ISO 9001-Zertifizierung erhalten.
Authentifizierung. Mit deutschen SACCKE-Fünf-Achs-Schleifzentren der Spitzenklasse, einem deutschen ZOLLER-Sechs-Achs-Werkzeugprüfzentrum, Maschinen von PALMARY aus Taiwan und anderen international fortschrittlichen Fertigungsanlagen sind wir bestrebt, hochwertige, professionelle und effiziente CNC-Werkzeuge herzustellen.
Frage 2: Sind Sie ein Handelsunternehmen oder ein Hersteller?
A2: Wir sind der Hersteller von Hartmetallwerkzeugen.
Frage 3: Können Sie Produkte an unseren Spediteur in China senden?
A3: Ja, wenn Sie einen Spediteur in China haben, senden wir die Produkte gerne an ihn/sie.
Frage 4: Welche Zahlungsbedingungen sind akzeptabel?
A4: Normalerweise akzeptieren wir T/T.
F5: Akzeptieren Sie OEM-Aufträge?
A5: Ja, OEM und individuelle Anpassungen sind möglich, und wir bieten auch einen Etikettendruckservice an.
Frage 6: Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?
A6:1) Kostenkontrolle - Einkauf von qualitativ hochwertigen Produkten zu einem angemessenen Preis.
2) Schnelle Reaktion – innerhalb von 48 Stunden erhalten Sie von unseren Fachkräften ein Angebot und Antworten auf Ihre Fragen.
3) Hohe Qualität - Das Unternehmen beweist stets mit aufrichtiger Absicht, dass die von ihm angebotenen Produkte zu 100 % von hoher Qualität sind.
4) Kundendienst und technische Beratung - Das Unternehmen bietet Kundendienst und technische Beratung gemäß den Anforderungen und Bedürfnissen des Kunden.
