Elipsómetro espectroscópico de alta precisión | Sistema de medición no destructivo del espesor de películas delgadas y del índice de refracción
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Indicadores clave
Espesor de la película (de una a varias capas)
Índice de refracción (n) y coeficiente de extinción (k)
Brecha de banda óptica (Eg)
Rugosidad superficial
Aspectos técnicos destacados
Amplio rango espectral: cobertura desde UV hasta NIR para un análisis de materiales versátil.
Alta sensibilidad: capaz de medir películas ultrafinas hasta escala subnanométrica.
Sin contacto y no destructivo: ideal para muestras sensibles en entornos de I+D y producción.
Software de modelado avanzado: Admite análisis complejos de apilamientos multicapa con flujos de trabajo fáciles de usar.
Aplicaciones
Este sistema se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores, recubrimientos ópticos, pantallas planas, desarrollo fotovoltaico (células solares), investigación en ciencia de materiales y biosensores.
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Como fabricante profesional con una sólida capacidad de I+D, ofrecemos precios directos de fábrica, configuraciones personalizables y soporte técnico especializado. Tanto si necesita un sistema de sobremesa para análisis de laboratorio como una solución en línea para el control de la producción, podemos adaptar el instrumento a sus necesidades específicas de medición.
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Parámetros técnicos principales
1. Capacidades de medición: elementos de la matriz de Mueller de orden 16, espectro de polarización Psi/Delta, índice de refracción, espesor, birrefringencia y constante dieléctrica, etc.
2. Rango espectral: 210 nm-1690 nm
3. Espaciado de longitud de onda: ≤0,8 nm a 210-1000 nm, ≤3,5 nm a 1000-1690 nm
4. Tiempo de medición de un solo punto: ≤10 s
5. Tamaño del micropunto: ≤200 μm
6. Tecnología de modulación: Sistema de modulación de compensación rotativa dual PCSCA
7. Platina automática para muestras: Enfoque automático en el eje Z, recorrido máximo de 18 mm, paso mínimo de 1 µm.
8. Precisión de repetibilidad del espesor de la película: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 mediciones repetidas, calculadas como 1σ)
9. Precisión de repetibilidad del índice de refracción: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 mediciones repetidas, calculado como 1σ)
10. Precisión absoluta del espesor de la película: ≤0,5 % (100 nm SiO2/Si, informe de metrología de terceros proporcionado)
11. Función de mapeo: Emplea una plataforma de escaneo automático de tipo x/y de alta precisión, admite el posicionamiento automático y la medición de escaneo de sustratos de 2/4/6/8 pulgadas, precisión de repetibilidad ≤6 μm, generación con un solo clic de mapas de distribución de espesor de película 2D/3D
12. Medición y enfoque láser: Posicionamiento automático de la distancia focal mediante trayectoria óptica de reflexión láser, recorrido de enfoque ≤3 mm
13. Modelo de diferencia: Calcula automáticamente los datos de diferencia psi-diff y delta-diff.
14. Software de análisis: Cuenta con al menos 5 modos de medición diferentes, una base de datos n/k integrada para más de 100 materiales ópticos y admite la creación de bases de datos personalizadas; posee capacidades de análisis de pruebas y modelado para películas delgadas alternas monocapa, multicapa (hasta 30 capas) y compuestas, incluidos los modelos Cauchy, Sellmeier, Tauc-Lorentz, Bspline y Oscillator, y admite licencias de software sin conexión.
Especificaciones técnicas
I. Introducción al equipo
La espectroelipsometría ME-Mapping incorpora tecnología de modulación con compensador de doble rotación y algoritmos de análisis de datos de alta precisión. Permite adquirir los 16 elementos de la matriz de Mueller completa y el espectro de polarización en una sola medición, facilitando así una medición rápida y no destructiva de las muestras. El instrumento cuenta con un diseño de trayectoria óptica estable y emplea un detector refrigerado por semiconductores, que adquiere señales de intensidad luminosa en cuestión de segundos. Ofrece mayor velocidad de medición y precisión, permitiendo la medición exacta de parámetros como el espesor, el índice de refracción, el coeficiente de extinción y la constante dieléctrica óptica en diversos materiales de película delgada. Además, puede personalizarse con etapas de posicionamiento repetibles de obleas de diferentes tamaños para mediciones de escaneo de mapeo multipunto en muestras de gran tamaño.
II. Ámbito de aplicación
Los elipsometristas se utilizan principalmente en semiconductores, pantallas planas, energía solar fotovoltaica, películas delgadas ópticas, comunicaciones ópticas y nanomateriales.
III. Requisitos técnicos generales
1. Especificaciones técnicas:
1.1 Parámetros de medición: elementos de la matriz de Mueller de orden 16, Psi/Delta, índice de refracción, espesor, birrefringencia y constante dieléctrica, etc.
1.2 Rango espectral: 210 nm-1690 nm;
1.3 Tiempo de medición de un solo punto: ≤10 s;
1.4 Tamaño del micropunto: ≤200 μm;
1.5 Tecnología de modulación: modulación de compensación de rotación dual PC1SCA;
1.6 Platina automática para muestras: Admite enfoque automático en el eje z, recorrido máximo de 18 mm, paso mínimo de 1 μm;
1.7 Precisión de repetibilidad del espesor de la película: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 mediciones repetidas, 1σ calculado);
1.8 Precisión de repetibilidad del índice de refracción: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 mediciones repetidas, 1σ calculado);
1.9 Precisión absoluta del espesor de la película: ≤0,5 % (100 nm SiO2/Si, informe de metrología de terceros proporcionado); μm
1.10 Función de mapeo: Emplea una etapa de escaneo automático de tipo x/y de alta precisión, que admite el posicionamiento automático y la medición de escaneo de sustratos de 2/4/6/8 pulgadas, con una precisión de repetibilidad ≤6 μm, y la generación con un solo clic de mapas de distribución de espesor de película 2D/3D;
1.11 Medición de distancia y enfoque láser: Posiciona automáticamente la distancia focal utilizando la trayectoria óptica de reflexión láser, con un recorrido de búsqueda de enfoque ≤3 mm;
1.12 Rango de medición del espesor de la película: 1 nm-10 μm;
1.13 Modelo de diferencia: calcula automáticamente los datos de diferencia psi-diff y delta-diff;
1.14 Software de análisis:
* Capacidades de medición espectroscópica: 16 elementos de la matriz de Mueller completa, espectroscopia de polarización Psi/Delta, N/C/S, despolarización, etc.;
* Capacidades de análisis de datos: Capaz de analizar el espesor y las constantes ópticas (n, k) de materiales de película delgada isotrópicos y anisotrópicos de una sola capa y de múltiples capas (hasta 20 capas);
* Admite modelos para constantes ópticas, distribución del gradiente del índice de refracción, medios equivalentes, rugosidad, etc., de películas delgadas multicomponentes y materiales a granel;
* Admite modelos ópticos constantes comunes y modelos de osciladores comunes (modelo de Cauchy, modelo de Lorentz, modelo gaussiano, Drude, Sellmeier, etc.), y admite el ajuste gráfico de modelos híbridos multi-osciladores;
* Permite generar imágenes topográficas en 2D/3D, visualizar datos históricos y exportar y editar datos e informes correspondientes;
* Formatos de salida de datos: TXT, CSV, instantánea SNAP, espectro sin procesar, DAT, etc.;
* Admite la medición del retardo de fase, siendo capaz de probar el retardo de fase, el ángulo azimutal, el ángulo de rotación óptica, la relación de amplitud, el orden, etc.;
* Posee funciones de análisis y modelado de estructuras de rejilla periódicas 1D/2D.
2. Lista de configuración:
1) Un conjunto de la unidad principal del elipsómetro;
2) Un juego de brazo de elipsometría y un juego de brazo analizador;
3) Un conjunto de plataforma de muestreo automática;
4) Un conjunto de software de análisis;
5) Un juego de diapositivas estándar;
6) Una computadora;
7) Un conjunto de herramientas de depuración;
8) Un conjunto de ensamblaje de micropuntos;
9) Una bomba de adsorción al vacío;
10) Una etapa de escaneo de mapeo.
3. Computadora de medición y control
Utiliza un PC industrial comercial con sistema operativo Windows 10; CPU: procesador i7; Memoria: 15 GB; Disco duro: 1 TB; Monitor LCD: 24 pulgadas; incluye ratón y teclado.
4. Requisitos ambientales y energéticos:
1) Requisitos de la plataforma: 2,0 m (largo) x 1,2 m (ancho), capacidad de carga superior a 100 kg (se recomienda aislamiento óptico de vibraciones).
2) Rango de temperatura de funcionamiento: 20~30°C
3) Humedad relativa: 35%~60% HR
4) Tensión de alimentación: 220 V CA
5) Corriente de fase: valor RMS inferior a 4 A (220 VCA);
6) Potencia máxima: 800 W
Objeto de medición elipsoidal
Principio de medición por elipsometría
Proceso de análisis elipsométrico
Elipsometría de matriz de Muller
Elipsometría de matriz de Mueller ME-L
Elipsometría de matriz de Mueller de alta precisión y totalmente automática, de grado de investigación.
Tecnología de ajuste de ángulo y enfoque totalmente automática, medición rápida con un solo clic.
Interfaz hombre-máquina interactiva guiada, experiencia de operación de software conveniente
Amplia base de datos de materiales y biblioteca de modelos de algoritmos, potentes capacidades de análisis de datos.
Especificaciones técnicas
| Número de modelo | ME-L |
| Aplicaciones | Nivel de investigación/empresarial |
| Funciones básicas | Psi/Delta, R/T, matriz de Mueller y otros sensores ópticos |
| Análisis espectral | 380-1000 nm (admite expansión a 193-2500 nm) |
| Tiempo de medición único | ≤15s |
| Repetibilidad Precisión de la medición | 0,005 nm |
| Precisión absoluta (medición de flujo de aire a través de todo el fluido) | Parámetros de elipsometría: 4 = 45 ± 0,05°, A = 0 ± 0,1° Matriz de Muller: Elemento diagonal m = 10,005 Elemento fuera de la diagonal m = 0 ± 0,005 |
| Precisión de repetibilidad del índice de refracción | 0,0005 |
| Tamaño del punto | Tamaño de punto grande: 2-4 mm Tamaño de punto pequeño: 200 μm/100 μm Tamaño de punto ultrapequeño: 50 μm (dependiendo de la longitud de onda) |
El índice de precisión de repetibilidad se basa en 30 mediciones repetibles de una muestra estándar de SiO2/Si de 100 nm;
Los parámetros técnicos específicos del instrumento están relacionados con los módulos funcionales y accesorios reales, y los datos de la tabla son solo de referencia.
Configuraciones opcionales
| Selección de bandas | VN: 380-1650 nm |
| V: 380-1000 nm | ONU: 210-1650 nm |
| UV: 245-1000 nm | DN: 193-1650 nm |
| UV+: 210-1000 nm | UN+: 210-2500 nm |
| DUV: 193-1000 nm | DN+: 193-2500 nm |
Selección de ángulo
Fijo: 65°
Automático: 45-90°
Manual: 45-90° (incrementos de 5°)
Otras opciones
Opciones de mapeo: 100*100 mm / 200*200 mm
Etapa de control de temperatura: 190-550 °C/temperatura ambiente-1000 °C
Sobre nosotros
Perfil de la fábrica
¿Por qué elegirnos?
Preguntas frecuentes
P1: ¿Quiénes somos?
A1: Fundada en 2015, MSK (Tianjin) Cutting Technology CO.Ltd ha crecido continuamente y ha obtenido la certificación Rheinland ISO 9001.
Autenticación. Con centros de rectificado de cinco ejes de alta gama SACCKE de Alemania, centro de inspección de herramientas de seis ejes ZOLLER de Alemania, máquina PALMARY de Taiwán y otros equipos de fabricación avanzados internacionales, nos comprometemos a producir herramientas CNC de alta gama, profesionales y eficientes.
P2: ¿Son ustedes una empresa comercial o un fabricante?
A2: Somos la fábrica de herramientas de carburo.
P3: ¿Pueden enviar los productos a nuestro agente de transporte en China?
A3: Sí, si tiene un agente de transporte en China, con gusto le enviaremos los productos.
P4: ¿Qué condiciones de pago son aceptables?
A4: Normalmente aceptamos transferencias bancarias.
P5: ¿Aceptan pedidos OEM?
A5: Sí, ofrecemos servicios de fabricación OEM y personalización, y también proporcionamos servicio de impresión de etiquetas.
P6: ¿Por qué debería elegirnos?
A6:1) Control de costos: comprar productos de alta calidad a un precio adecuado.
2) Respuesta rápida: en un plazo de 48 horas, personal profesional le proporcionará un presupuesto y atenderá sus inquietudes.
3) Alta calidad: La empresa siempre demuestra con sincera intención que los productos que ofrece son 100% de alta calidad.
4) Servicio posventa y asesoramiento técnico: La empresa ofrece servicio posventa y asesoramiento técnico de acuerdo con los requisitos y necesidades del cliente.
