Héichpräzis spektroskopescht Ellipsometer | Net-destruktivt Dënnschichtdicke & Breechungsindex Miessungssystem

Uwendungen

Dëst System gëtt wäit verbreet an der Hallefleederproduktioun, optescher Beschichtung, Flachbildschiermer, photovoltaescher (Solarzellen) Entwécklung, Materialwëssenschaftsfuerschung a Biosensing adoptéiert.

Firwat eis Léisung wielen

Als professionelle Produzent mat staarke Fuerschungs- a Entwécklungsfäegkeeten, bidden mir Präisser direkt vun der Fabréck un, personaliséierbar Konfiguratiounen an engagéierten techneschen Support. Egal ob Dir e Benchtop-System fir Laboranalysen oder eng In-Line-Léisung fir d'Produktiounsiwwerwaachung braucht, mir kënnen den Instrument op Är spezifesch Miessbedürfnisser upassen.

Ufro fir eng Offer

Kontaktéiert eis haut fir Är Uwendung ze diskutéieren oder eng Offer unzefroen. Eis Equipe bitt Iech eng gratis technesch Berodung fir Iech ze hëllefen, déi optimal Léisung fir d'Miessung vun Dënnschichten ze wielen.

Haapt technesch Parameteren

1. Miessméiglechkeeten: Mueller-Matrixelementer vun der 16. Uerdnung, Polarisatiounsspektrum Psi/Delta, Breechungsindex, Déckt, Duebelbriechung an dielektresch Konstant, etc.

2. Spektralberäich: 210nm-1690nm

3. Wellelängteofstand: ≤0,8 nm@210-1000 nm, ≤3,5 nm@1000-1690 nm

4. Eenzelpunktmiesszäit: ≤10s

5. Mikro-Fleckgréisst: ≤200μm

6. Modulatiounstechnologie: PCSCA Duebelrotatiounskompensatorsystemmodulatioun

7. Automatesch Proufstufe: Automatesch Fokusséierung op der Z-Achs, maximal Bewegung 18 mm, minimale Schrëtt 1 µm

8. Widderhuelbarkeetsgenauegkeet vun der Filmdicke: ≤0,005 nm (100 nm SiO2/Si, 30 widderholl Miessungen, berechent als 1σ)

9. Genauegkeet vun der Widderhuelbarkeet vum Breechungsindex: ≤0,0002 (100 nm SiO2/Si, 30 widderholl Miessungen, berechent als 1σ)

10. Absolut Genauegkeet vun der Schichtdicke: ≤0,5% (100nm SiO2/Si, Metrologiebericht vun Drëttpersounen geliwwert)

11. Mapping-Funktioun: Benotzt eng héichpräzis x/y-Typ automatesch Scannstuf, ënnerstëtzt automatesch Positionéierung a Scanmiessung vun 2/4/6/8-Zoll-Substrater, Widderhuelbarkeetsgenauegkeet ≤6μm, Generatioun vun 2D/3D-Filmdickeverdeelungskaarten mat engem Klick

12. Laser-Abstandsmessung a Fokussierung: Automatesch Brennwäit-Positionéierung iwwer Laser-Reflexiounsoptikwee, Fokussierungswee ≤3mm

13. Differenzmodell: Berechent automatesch Psi-Diff- an Delta-Diff-Differenzdaten

14. Analysesoftware: Verfügt iwwer mindestens 5 verschidde Miessmodi, eng agebaute n/k-Datebank fir iwwer 100 optesch Materialien, an ënnerstëtzt d'Erstelle vu personaliséierten Datebanken; huet Test- a Modelléierungsanalyseméiglechkeeten fir Eenzelschicht-, Méischicht- (bis zu 30 Schichten) a Komposit-ofwiesselnd Dënnschichten, dorënner Cauchy-, Sellmeier-, Tauc-Lorentz-, Bspline- an Oscillator-Modeller, an ënnerstëtzt Offline-Softwarelizenzéierungen.

Technesch Spezifikatiounen

I. Aféierung an d'Ausrüstung

D'ME-Mapping Spektroellipsometrie benotzt eng Duebelrotatiounskompensatormodulatiounstechnologie a Kombinatioun mat héichpräzisen Datenanalysealgorithmen. Si kann all 16 Elementer vum komplette Mueller-Matrix- a Polarisatiounsspektrum an enger eenzeger Miessung erfassen, wat eng séier an net-destruktiv Proufmiessung erméiglecht. Den Instrument huet e stabilt optescht Wee-Design an e semiconductor-gekillte Detektor, deen d'Liichtintensitéitssignaler bannent Sekonne erfaasst. Si bitt eng méi séier Miessgeschwindegkeet an eng méi héich Genauegkeet a ënnerstëtzt eng präzis Miessung vu Parameteren wéi Déckt, Breechungsindex, Extinktiounskoeffizient an optesch Dielektrizitéitskonstant fir verschidde Dënnschichtmaterialien. Ausserdeem kann si mat verschiddene Gréissten "Wafer-Widderhuelungspositiounsstufen" fir Multipunkt-Mapping-Scanningmiessunge vu verschiddene grousse Proben personaliséiert ginn.